905nm脉冲半导体激光二极管

PGAD系列高性能脉冲激光二极管为最严格的设备提供了多种配置。这些脉冲激光二极管（PLD）提供各种密封的金属罐封装，在恶劣的环境中仍能表现出色。条纹宽度窄至75 µm，功率高达300 W，为您的设备找到合适的脉冲激光二极管原来如此简单。

PGA系列单片式外延905 nm脉冲激光半导体二极管数据表
PGA系列多片式外延和单片式外延905 nm脉冲激光半导体二极管数据表

DPGAS1S03H - 905nm双腔3密耳脉冲激光二极管

DPGAS1S03H是采用金属封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75 µm的单堆叠双腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为16W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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DPGAS1S09H - 905nm双腔9密耳脉冲激光二极管

DPGAS1S09H是采用金属封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225 µm的单堆叠单腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为50W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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PGAS1S03H - 905nm单腔3密耳脉冲激光二极管

PGAS1S03H是金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为75µm的单堆叠、单腔芯片组成。以100ns脉宽进行测试，它在通入10A的电流时提供8 W功率，并有多种封装形式。
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PGAS1S06H - 905nm单腔6密耳脉冲激光二极管

PGAS1S06H是金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为150µm的单堆叠、单腔芯片组成。以150ns脉宽进行测试，它在通入15A的电流时提供15 W功率，并有多种封装形式。
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PGAS1S09H - 905nm单腔9密耳脉冲激光二极管

PGAS1S09H是金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为225µm的单堆叠、单腔芯片组成。以150ns脉宽进行测试，它在通入22A的电流时提供22 W功率，并有多种封装形式。
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PGAS1S12H - 905nm单腔12密耳脉冲激光二极管

PGAS1S12H是金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为300µm的单堆叠、单腔芯片组成。以150ns脉宽进行测试，它在通入30A的电流时提供30 W功率，并有多种封装形式。
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PGAS1S16H - 905nm单腔16密耳脉冲激光二极管

PGAS1S16H是金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为400µm的单堆叠、单腔芯片组成。以150ns脉宽进行测试，它在通入40A的电流时提供40 W功率，并有多种封装形式。
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PGAS1S24H - 905nm单腔24密耳脉冲激光二极管

PGAS1S24H是金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为600µm的单堆叠、单腔芯片组成。以150ns脉宽进行测试，它在通入60A的电流时提供60 W功率，并有多种封装形式。
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QPGAS1S03H - 905nm四腔3密耳脉冲激光二极管

QPGAS1S03H是金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75µm的单堆叠四腔芯片构成，在10A时测得31W的功率和100 ns的宽脉冲，亦可使用其它各种封装提供。
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QPGAS1S09H - 905nm四腔9密耳脉冲激光二极管

QPGAS1S09H是金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225µm的单堆叠四腔芯片构成，在30A时测得100W的功率和100 ns的宽脉冲，亦可使用其它各种封装提供。
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QPGAS2S03H - 905nm四腔两层3 密耳脉冲激光二极管

QPGAS2S03H是采用金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度75µm的双堆叠四腔芯片组成。通过100ns脉宽测试，它在10A时具有62W的功率输出，并提供各种其他封装。
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QPGAS2S09H - 905nm四腔两层9 密耳脉冲激光二极管

QPGAS2S09H是采用金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225µm的双堆叠四腔芯片构成。通过100ns脉宽测试，它在30A时具有200W的功率输出，并提供各种其他封装。
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QPGAS3S03H - 905nm四腔三层3 密耳脉冲激光二极管

QPGAS3S03H是采用金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75µm的三堆叠四腔芯片组成。通过100ns脉宽测试，它在10A时具有90W的功率输出，并提供各种其他封装。
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QPGAS3S09H - 905nm四腔三层9 密耳脉冲激光二极管

QPGAS3S09H是采用金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225µm的三堆叠四腔芯片组成。通过100ns脉宽测试，它在30A时具有300W的功率输出，并提供各种其他封装。
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TPGAS1S03H - 905nm三腔3密耳脉冲激光二极管

TPGAS1S03H是采用金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为75µm的单堆叠三腔芯片构成。通过100ns测试，它在10A时具有24W的功率输出，并提供各种其他封装。
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TPGAS1S09H - 905nm三腔9密耳脉冲激光二极管

TPGAS1S09H是采用金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225µm的单堆叠三腔芯片构成。通过100ns脉宽测试，它在30A时提供75W的功率输出，并提供各种其他封装。
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TPGAS2S03H - 905nm三腔两层3 密耳脉冲激光二极管

TPGAS2S03H是采用金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75µm的双堆叠三腔芯片构成。通过100ns带宽测试，它在10A时具有45W的功率输出，并提供各种其他封装。
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TPGAS2S09H - 905nm三腔两层9 密耳脉冲激光二极管

TPGAS2S09H是采用金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条宽为225 µm的双堆叠三腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为150W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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为何选择埃赛力达作为905nm脉冲半导体激光二极管供应商？

凭借数十年的行业经验，埃赛力达在提供先进光子解决方案方面建立了卓越的声誉，始终如一地满足全球OEM和最终用户客户的需求。我们全面的产品组合包括高灵敏度、高性能的光子探测器和脉冲激光二极管，为客户的技术进步和创新做出了贡献。

905nm脉冲半导体激光二极管有哪些不同用途？

905nm脉冲半导体激光二极管是一种特定类型的二极管，它不是以波长为905 nm的光束发射光，而是以脉冲形式。这些组件能产生范围从纳秒到微秒的高强度光脉冲，具体取决于设计和预期应用。

埃赛力达的PGA系列高性能脉冲激光二极管具有多种配置，可满足最苛刻的应用要求。该系列所具有的独特性能使其适用于需要强激光能量爆发或快速切换的应用，例如光探测和测距（LiDAR）、测距和激光光谱学。

你们提供哪些类型的905nm脉冲半导体激光二极管？

埃赛力达通过PGA系列提供各种905nm脉冲半导体激光二极管，可轻松集成到您的特定应用中。

从下文中了解有关PGA系列的更多信息：

  • PGAS1S03H - 905nm单腔3密耳PLD - 金属封装的高效905nm激光二极管，由一个具有75 µm条纹宽度的单堆叠、单腔芯片组成，在10A电流下的输出功率为8W。

  • DPGAS1S03H - 905nm双腔3密耳PLD - 由一个具有75 µm条纹宽度的单堆叠、双腔芯片组成，在10A电流下的输出功率为16W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • TPGAS1S03H - 905nm三腔3密耳PLD - 与DPGAS1S03H规格相似，但采用的是一个具有75µm条纹宽度单堆叠、三腔芯片，在10A电流下的输出功率为24W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • QPGAS1S03H - 905nm四腔3密耳PLD - 在10A电流下的输出功率为31W，由一个具有75µm条纹宽度的单堆叠、四腔芯片组成。

  • PGAS1S06H - 905nm单腔6密耳PLD - 高效二极管，由150µm条纹宽度的单堆叠、单腔芯片组成，在15A电流下的输出功率为15W，使用150 ns宽脉冲进行测试。

  • PGAS1S09H - 905nm单腔9密耳PLD - 包括一个具有225µm条纹宽度的单堆叠、单腔芯片，在22A电流下的输出功率为22W，使用150 ns宽脉冲进行测试。

  • DPGAS1S09H - 905nm双腔9密耳PLD - 包括一个具有225 µm磁条宽度的单堆叠、单腔芯片，在30A电流下的输出功率为50W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • TPGAS1S09H - 905nm三腔9密耳PLD - 包括一个具有225 µm条纹宽度的单堆叠、三腔芯片，在30A电流下的输出功率为75W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • QPGAS1S09H - 905nm四腔9密耳PLD - 采用具有225 µm条纹宽度的单堆叠、四腔芯片，在30A电流下的输出功率为100W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • PGAS1S12H - 905nm单腔12密耳PLD - 金属封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有300 µm条纹宽度的单堆叠、单腔芯片组成，在30A电流下的输出功率为30W，使用150 ns宽脉冲进行测试。

  • PGAS1S16H - 905nm单腔16密耳PLD - 金属封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有400 µm条纹宽度的单堆叠、单腔芯片组成，在40A电流下的输出功率为40W，使用150 ns宽脉冲进行测试。

  • PGAS1S24H - 905nm单腔24密耳PLD - 金属封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有600 µm条纹宽度的单堆叠、单腔芯片组成，在60A电流下的输出功率为60W，使用150 ns宽脉冲进行测试。

  • PGAS2S03H - 905nm三腔两层3密耳PLD - 金属封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有75 µm条纹宽度的单堆叠、三腔芯片组成，在10A电流下的输出功率为45W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • QPGAS2S03H - 905nm四腔两层3密耳PLD - 金属封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有75 µm条纹宽度的双堆叠、四腔芯片组成，在10A电流下的输出功率为62W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • TPGAS2S09H - 905nm三腔两层 9密耳PLD - 金属封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有225 µm条带宽度的双堆叠、三腔芯片，在30A电流下的输出功率为150W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • QPGAS2S09H - 905nm四腔两层9密耳PLD - 金属封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有225 µm条纹宽度的双堆叠、四腔芯片组成，在30A电流下的输出功率为200W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • QPGAS3S03H - 905nm四腔三层3密耳PLD - 金属封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有75 µm条纹宽度的双堆叠、四腔芯片组成，在10A电流下的输出功率为90W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • QPGAS3S09H - 905nm四腔三层 9密耳PLD - 金属封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有225 µm条纹宽度的双堆叠、四腔芯片组成，在30A电流下的输出功率为300W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

905nm脉冲半导体激光二极管有哪些应用？

埃赛力达拥有全面的激光二极管产品组合，在功率传输、脉冲持续时间和重复率方面具有可靠性和强大性能，非常适合以下应用：

  • 光探测和测距 (LiDAR)
  • 工业传感
  • 自动化
  • 激光测高
  • 测距和瞄准
  • 汽车
  • 接近传感
  • 武器模拟
  • 光学信号柱
  • 工业计量
  • ​​​​​​​激光安全光幕
你们是否提供定制的905nm脉冲半导体激光二极管？

几十年来，埃赛力达一直作为稳定的制造商和供应商，为全球客户提供各种激光二极管解决方案。我们始终坚持产品的质量和可靠性，同时不断改进自身技术，以确保将其无缝集成到客户的应用当中。我们非常乐意通过与客户的密切合作来找到符合其所需规格的正确组件，量身定制完全满足其特定需求的解决方案，同时确保最高的质量、稳健性和快速上市时间。诚待洽询。