BBO双普克尔斯盒DBBPC系列
LINOS® DBBPC系列BBO双普克尔斯盒集精度与性能于一身，专为高要求激光应用而设计。该系列采用串联排列的双BBO晶体以降低开关电压，并集成压电阻尼技术，可实现超精度的开关控制，特别适合高重复频率的Q开关、脉冲拾取和再生放大器。内置压电衰减器显著提升了系统稳定性与调制精度，使DBBPC系列成为需要快速、可靠且精确电光控制的下一代激光系统的理想选择。
DBBPC系列采用双普克尔斯盒设计，两个BBO晶体串联排列，可将开关电压降低50%。这些晶体具有低介电常数和高损伤阈值特性，特别适用于高重复频率、高平均功率激光器。内置的压电衰减器能有效抑制压电振铃效应，确保精确开关控制——这一特性在脉冲拾取应用中至关重要。本产品提供定制波长和规格选项。
| 产品 | DBBPC 3 pp 1064 nm | DBBPC 4 pp 1064 nm | DBBPC 5 pp 1064 nm | DBBPC 6 pp 1064 nm |
| 设计波长下的透射率 | 98.0 % | 98.0 % | 98.0 % | 98.0 % |
| 净孔径 | 2.6 mm | 3.6 mm | 4.6 mm | 5.6 mm |
| 消光比（无电压） | > 1000.0 - 1.0 | > 1000.0 - 1.0 | > 1000.0 - 1.0 | > 1000.0 - 1.0 |
| 开关电压 | 1.8 | 2.4 | 3.0 | 3.6 |
| 电容 | 8.0 | 8.0 | 8.0 | 8.0 |
| 零件号 | 845130200010 | 845130200011 | 845130200001 | 845130200008 |
- 降低开关电压，由于对驱动电子元件的要求较低，能实现更高的开关频率。
- 减少压电振铃效应，实现精准开关。
- BBO晶体在0.25-1.3 µm的光谱窗口内具有低介电常数和高损伤阈值。推荐与高重复频率和高平均功率的激光器一起使用。
DBBPC
| 产品 | DBBPC 3 pp 1064 nm | DBBPC 4 pp 1064 nm | DBBPC 5 pp 1064 nm | DBBPC 6 pp 1064 nm |
| 设计波长下的透射率 | 98.0 % | 98.0 % | 98.0 % | 98.0 % |
| 净孔径 | 2.6 mm | 3.6 mm | 4.6 mm | 5.6 mm |
| 消光比（无电压） | > 1000.0 - 1.0 | > 1000.0 - 1.0 | > 1000.0 - 1.0 | > 1000.0 - 1.0 |
| 开关电压 | 1.8 | 2.4 | 3.0 | 3.6 |
| 电容 | 8.0 | 8.0 | 8.0 | 8.0 |
| 零件号 | 845130200010 | 845130200011 | 845130200001 | 845130200008 |
- 降低开关电压，由于对驱动电子元件的要求较低，能实现更高的开关频率。
- 减少压电振铃效应，实现精准开关。
- BBO晶体在0.25-1.3 µm的光谱窗口内具有低介电常数和高损伤阈值。推荐与高重复频率和高平均功率的激光器一起使用。
DBBPC