C30645 InGaAs 雪崩光电二极管产品系列
C30645系列结合了多种大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）产品，具有80µm的有效感光面积。埃赛力达InGaAs APD可在1000nm至1700nm的光谱范围内提供高量子效率（QE）、高响应度和低噪声。这些器件以密封的TO-18封装形式或在陶瓷载体上提供。陶瓷表面安装式封装便于轻松集成到大容量应用中。
凭借高带宽和低噪声特性，埃赛力达C30645系列有助于OEM和系统制造商实现具有最佳信噪比（SNR）的前沿噪声规范。特别是新推出的增强型低噪声选项，有助于在相同的激光输出功率下增加LiDAR和人眼安全测距系统的范围和性能。在检测拉曼散射信号时，相干OTDR和光纤传感应用（如DTS或DAS）可在较远距离上提高灵敏度。
| 系列型号 | 封装类型 | 窗口材料 | 窗口孔径 | 留言 |
| C30645ECERH | 陶瓷载体 | 不适用 | 不适用 | |
| C30645EH | TO- {#0},{#1} 引脚 | 硅 | 小2 | |
| C30645EH-1 | 玻璃1 | 大2 | ||
| C30645EH-2 | TO- {#0},{#1} 引脚 | 3. 接地引脚 | ||
| C30645EH-7 | TO- {#0},{#1} 引脚 | 硅 | 小2 | 低噪音 |
| C30645EH-27 | TO- {#0},{#1} 引脚 | 玻璃1 | 大2 | 低噪声，3. 接地引脚 |
| C30645L-080 | SMD | 玻璃1 | 不适用 | |
| C30645L-080-1 | 硅 | |||
| C30645L-080-7 | 玻璃 | 低噪音 | ||
| C30645L-080-17 | 硅 |
注意1：玻璃材料对于可见光和IR波长是透明的，而硅会阻挡波长高达约1.1µm的可见光。
注意2：AR涂层窗口。
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大 | 单位 | |
| 上升时间/下降时间 | tr/tf | 0.3 | ns | |||
| 带宽 | f3dB | 1000 | MHz | |||
| 电容 | 标准 | C | 1.25 | pF | ||
| SMD | 1.45 | |||||
| 暗电流 | 标准 | iD | 2.5 | 15 | nA | |
| SMD | 1 | 5 | ||||
| 暗噪声 | 标准 | iN | 0.2 | 0.6 | pA/√(Hz) | |
| 低噪声 | 0.1 | 0.25 | ||||
| 等效噪声功率 | 标准 | NEP | 25 | 64 | fW/√(Hz) | |
| 低噪声 | 11 | 26 | ||||
| 工作增益 | M | 10 | 20 | |||
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大 | 单位 |
| 击穿电压 | VBD | 45 | 50 | 70 | V |
| 光谱范围 | Δλ | 1000 | 1700 | nm | |
| 量子效率 | QE | C | % | ||
| 在1550nm处的响应度 | R | 9.3 | A/W | ||
| VBD的温度系数 | ΔV/ΔT | 0.14 | 0.2 | V/°C |
| 系列型号 | 封装类型 | 窗口材料 | 窗口孔径 | 留言 |
| C30645ECERH | 陶瓷载体 | 不适用 | 不适用 | |
| C30645EH | TO- {#0},{#1} 引脚 | 硅 | 小2 | |
| C30645EH-1 | 玻璃1 | 大2 | ||
| C30645EH-2 | TO- {#0},{#1} 引脚 | 3. 接地引脚 | ||
| C30645EH-7 | TO- {#0},{#1} 引脚 | 硅 | 小2 | 低噪音 |
| C30645EH-27 | TO- {#0},{#1} 引脚 | 玻璃1 | 大2 | 低噪声，3. 接地引脚 |
| C30645L-080 | SMD | 玻璃1 | 不适用 | |
| C30645L-080-1 | 硅 | |||
| C30645L-080-7 | 玻璃 | 低噪音 | ||
| C30645L-080-17 | 硅 |
注意1：玻璃材料对于可见光和IR波长是透明的，而硅会阻挡波长高达约1.1µm的可见光。
注意2：AR涂层窗口。
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大 | 单位 | |
| 上升时间/下降时间 | tr/tf | 0.3 | ns | |||
| 带宽 | f3dB | 1000 | MHz | |||
| 电容 | 标准 | C | 1.25 | pF | ||
| SMD | 1.45 | |||||
| 暗电流 | 标准 | iD | 2.5 | 15 | nA | |
| SMD | 1 | 5 | ||||
| 暗噪声 | 标准 | iN | 0.2 | 0.6 | pA/√(Hz) | |
| 低噪声 | 0.1 | 0.25 | ||||
| 等效噪声功率 | 标准 | NEP | 25 | 64 | fW/√(Hz) | |
| 低噪声 | 11 | 26 | ||||
| 工作增益 | M | 10 | 20 | |||
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大 | 单位 |
| 击穿电压 | VBD | 45 | 50 | 70 | V |
| 光谱范围 | Δλ | 1000 | 1700 | nm | |
| 量子效率 | QE | C | % | ||
| 在1550nm处的响应度 | R | 9.3 | A/W | ||
| VBD的温度系数 | ΔV/ΔT | 0.14 | 0.2 | V/°C |