零件/ C30659-1550E-R2AH
C30659-1550E-R2AH - InGaAs APD接收器, 200um, TO-8, 50MHz, 高损伤阈值
C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的埃赛力达C30662EH InGaAs APD。
C30659系列采用反相放大器设计，带作为输出缓冲级的射极跟随器。
这些装置中使用与埃赛力达的C30817EH、 C30902EH、C30954EH和C30956EH产品中相同的Si APD，而C30645EH和C30662EH产品中则使用InGaAs APD。这些检测器在830和1550 nm之间具有极佳响应度，而且在所有波长都具有极快的上升和下降时间。该模块的前置放大器部分使用超低噪声GaAs FET前端，设计用于在高于埃赛力达的常规C30950系列的跨阻下工作。
- 系统带宽：50 MHz
- 超低等效噪声功率（NEP）
- 在1300 nm处为150 fW/√Hz
- 在1550 nm处为130 fW/√Hz
- 光谱响应范围：峰值在1550 nm
- 典型功耗：150 mW
- ±5 V放大器工作电压
- 50 Ω交流负载能力（交流耦合）
- 气密TO-8封装
- 高可靠性
- 系统带宽：50 MHz
- 超低等效噪声功率（NEP）
- 在1300 nm处为150 fW/√Hz
- 在1550 nm处为130 fW/√Hz
- 光谱响应范围：峰值在1550 nm
- 典型功耗：150 mW
- ±5 V放大器工作电压
- 50 Ω交流负载能力（交流耦合）
- 气密TO-8封装
- 高可靠性