C30662 InGaAs 雪崩光电二极管产品系列

C30662 InGaAs 雪崩光电二极管产品系列

C30662系列采用多种大面积InGaAs雪崩光电二极管(APD),具有200µm的有效感光面积。埃赛力达InGaAs APD可在1000nm至1700nm的光谱范围内提供高量子效率(QE)、稳定响应度和低噪声。这些器件以密封的TO-18封装形式或在陶瓷载体上提供。陶瓷表面安装式封装便于轻松集成到大容量应用中。

埃赛力达C30662系列提供高带宽和低噪声,使OEM和系统制造商能够以最佳信噪比(SNR)实现先进的噪声规范。新增强的低噪声选项提高了LiDAR和人眼安全测距系统的范围和性能,同时保持相同的激光输出功率。此外,在检测拉曼散射信号时,分布式温度传感 (DTS) 和分布式声学传感 (DAS) 等相干光时域反射计 (OTDR) 和光纤传感应用可在较远距离上提高灵敏度。

系列型号封装类型窗口材料窗口孔径留言
C30662ECERH陶瓷载体不适用不适用
C30662ECERH-1ΔV > 4 V
C30662EHTO- {#0},{#1} 引脚玻璃12
C30662EH-1ΔV > 4 V
C30662EH-2TO- {#0},{#1} 引脚3. 接地引脚
C30662EH-137TO- {#0},{#1} 引脚低噪声,
ΔV > 4 V
C30662EH-3
C30662EH-52
C30662EH-7玻璃12低噪音
C30662EH-27TO- {#0},{#1} 引脚低噪声,
3. 接地引脚
C30662L-200SMD不适用
C30662L-200-1
C30662L-200-7玻璃1低噪音
C30662L-200-17

注意1:玻璃材料对于可见光和IR波长是透明的,而硅会阻挡波长高达约1.1µm的可见光。

注意2:AR涂层窗口。

参数符号最小值典型值最大单位
上升时间/下降时间tr/tf0.4ns
带宽f3dB600850MHz
电容标准C2.5pF
SMDC2.7
暗电流标准iD1335nA
低噪声iD7.515
暗噪声标准iN0.451pA/√(Hz)
低噪声iN0.350.5
等效噪声功率标准NEP48106fW/√(Hz)
等效噪声功率低噪声NEP3753
工作增益M1020
击穿的工作点ΔV4V

参数符号最小值典型值最大单位
击穿电压VBD455070V
光谱范围Δλ10001700nm
量子效率QE75%
在1550nm处的响应度R9.3A/W
VBD的温度系数ΔV/ΔT0.140.2V/°C

系列型号封装类型窗口材料窗口孔径留言
C30662ECERH陶瓷载体不适用不适用
C30662ECERH-1ΔV > 4 V
C30662EHTO- {#0},{#1} 引脚玻璃12
C30662EH-1ΔV > 4 V
C30662EH-2TO- {#0},{#1} 引脚3. 接地引脚
C30662EH-137TO- {#0},{#1} 引脚低噪声,
ΔV > 4 V
C30662EH-3
C30662EH-52
C30662EH-7玻璃12低噪音
C30662EH-27TO- {#0},{#1} 引脚低噪声,
3. 接地引脚
C30662L-200SMD不适用
C30662L-200-1
C30662L-200-7玻璃1低噪音
C30662L-200-17

注意1:玻璃材料对于可见光和IR波长是透明的,而硅会阻挡波长高达约1.1µm的可见光。

注意2:AR涂层窗口。

参数符号最小值典型值最大单位
上升时间/下降时间tr/tf0.4ns
带宽f3dB600850MHz
电容标准C2.5pF
SMDC2.7
暗电流标准iD1335nA
低噪声iD7.515
暗噪声标准iN0.451pA/√(Hz)
低噪声iN0.350.5
等效噪声功率标准NEP48106fW/√(Hz)
等效噪声功率低噪声NEP3753
工作增益M1020
击穿的工作点ΔV4V

参数符号最小值典型值最大单位
击穿电压VBD455070V
光谱范围Δλ10001700nm
量子效率QE75%
在1550nm处的响应度R9.3A/W
VBD的温度系数ΔV/ΔT0.140.2V/°C

关闭