零件/ C30724EH
C30724EH—硅APD，500um，TO封装
C30724EH硅雪崩光电二极管（Si APD）采用金属TO封装，提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。
C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度，上升和下降时间约为5 ns，下降时间无“拖尾”特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用，可在固定电压下工作，无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。
主要特性：
- 采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD
- 5 ns上升+下降时间-无拖尾
- 低放大倍数下运行
- 无需温度补偿
关键应用：
- 激光测距
- 激光测距仪
- 交通测速枪
感光面积：0.2mm2
感光直径：0.5 mm
击穿电压：350V
电容：1 pF
暗电流：20 nA
增益：>12、15、<18
噪声电流：0.1pA/√Hz
封装：TO-18
峰值灵敏度波长：920 nm
光敏直径：0.5 mm
光敏直径：0.5 mm
响应度：在920 nm处为8.5 A/W
上升/下降时间：5 ns
总暗电流（基板+表面）：20 nA
工作电压范围：150-200 V
波长：400-1100nm
感光面积：0.2mm2
感光直径：0.5 mm
击穿电压：350V
电容：1 pF
暗电流：20 nA
增益：>12、15、<18
噪声电流：0.1pA/√Hz
封装：TO-18
峰值灵敏度波长：920 nm
光敏直径：0.5 mm
光敏直径：0.5 mm
响应度：在920 nm处为8.5 A/W
上升/下降时间：5 ns
总暗电流（基板+表面）：20 nA
工作电压范围：150-200 V
波长：400-1100nm