零件/ C30817EH
C30817EH - 硅APD, 0.8mm, TO-5薄型
通用C30817EH硅雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构设计。这种结构能够在400至1100nm之间提供高响应度，并能在所有波长下实现极快的上升和下降。由于下降时间特征没有“拖尾”，器件的响应度与最高约200 MHz的调制频率无关。
C30817采用经过修改的薄型TO-5封装，密封在平玻璃窗后面。
主要特性：
- 高量子效率
- 在900 nm处的典型值为85%
- 在1060 nm处的典型值为18%
- 光谱响应范围：400至1100 nm
- 快速响应时间
- 2 ns的典型上升时间和下降时间
- 较宽的工作温度范围
应用领域：
- 激光探测
- 测距
- 光通信
- 高速开关
- 渡越时间测量
感光面积：0.5 mm²
感光直径：0.8 mm
击穿电压：375V
电容：2 pF
暗电流：50 nA
增益：120
噪声电流：1 pA/√Hz
封装：TO-5，平面窗口
响应度：
- 在900 nm为75 A/W
- 在1060 nm为18 A/W
感光面积：0.5 mm²
感光直径：0.8 mm
击穿电压：375V
电容：2 pF
暗电流：50 nA
增益：120
噪声电流：1 pA/√Hz
封装：TO-5，平面窗口
响应度：
- 在900 nm为75 A/W
- 在1060 nm为18 A/W