零件/ C30884EH
C30884EH - 硅APD, 1mm, TO-5
C30884EH硅雪崩光电二极管(Si APD)提供极高的调制能力，具有高响应度以及快速的上升和下降时间。由于下降时间特征没有“拖尾”，器件的响应度与最高约400 MHz的调制频率无关。这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成，针对1000 nm以下波长的高响应度进行了优化。
C30884EH采用经过修改的薄型TO-5封装，芯片密封在平玻璃窗后面。
应用领域：
- 光通信
- 激光测距
- 高速开关系统
高量子效率：
- 在900 nm处的典型值为85%
- 在1060 nm处的典型值为10%
- 上升时间：1 ns
- 下降时间：1 ns
高量子效率：
- 在900 nm处的典型值为85%
- 在1060 nm处的典型值为10%
- 上升时间：1 ns
- 下降时间：1 ns