零件/ C30927EH-01
C30927EH-01 - Si APD四象限探测器 - 1.5 mm - 1060 nm
C30927EH-01四象限硅雪崩光电二极管的有效直径为1.55 mm，其设计采用双扩散“直通”结构。
C30927EH-01的象限结构有一个共用雪崩结，通过结对面的光入射p+表面分割来实现象限分离。采用这种设计，象限之间不存在死角，因此瞄准线上没有响应损失。
C30927EH-01为在1064 nm波长处使用进行了优化，在指定波长约50 nm的范围内工作时可提供高响应度和出色的性能。
主要功能与优点：
- 大于90º的光敏面感应区完全覆盖的全发散角
- 针对YAG波长而优化的高量子效率
- 快速响应时间
- 大感光面积：1.77 mm2
- 密封薄型TO-8封装
击穿电压范围(V)：350至485
典型击穿电压(V)：425
典型增益(M)：100
恒定增益的典型温度系数(V/℃)：2.4
在1060 nm处的最低响应度(A/W)：12
在1060 nm处的典型响应度(A/W)：15
典型总暗电流(nA)：100
最大总暗电流(nA)：200
每个象限单元的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.0
每个象限单元的最大噪声电流(pA/√Hz)：1.5
所有象限的典型总电容(pF)：3
所有象限的最大总电容(pF)：5
最大串联电阻(Ω)：15
典型上升和下降时间(ns)：3
储存温度(℃)：-60至120
工作温度(℃)：-40至60
击穿电压范围(V)：350至485
典型击穿电压(V)：425
典型增益(M)：100
恒定增益的典型温度系数(V/℃)：2.4
在1060 nm处的最低响应度(A/W)：12
在1060 nm处的典型响应度(A/W)：15
典型总暗电流(nA)：100
最大总暗电流(nA)：200
每个象限单元的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.0
每个象限单元的最大噪声电流(pA/√Hz)：1.5
所有象限的典型总电容(pF)：3
所有象限的最大总电容(pF)：5
最大串联电阻(Ω)：15
典型上升和下降时间(ns)：3
储存温度(℃)：-60至120
工作温度(℃)：-40至60