零件/ LLAM-1060E-R8BH
LLAM-1060E-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-66, 200MHz, 致冷器, 高损伤阈值
包含1060 nm硅（Si）APD的LLAM-1060E-R8BH高速，低光模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。这款Si APD具有热电致冷器，可提供0.8 mm的感光直径和200 MHz的带宽。
LLAM系列APD模块包含雪崩光电二极管芯片、热电（TE）致冷器和前置放大器，全部采用密封封装。完全符合RoHS标准的模块采用单个改良的12引线TO-66法兰封装，易于安装，并提供额外的散热功能。使用TE致冷器可确保在5°C至40°C环境温度范围内降低噪声并保持恒定的响应度。LLAM系列模块设计用于检测高速，弱光模拟信号。
埃赛力达的InGaAs LLAM-1060 E和-1550E前置放大器模块设计为具有更高的损坏阈值，因此在暴露于高光功率密度时具有更大的弹性。
LLAM-1060-R8BH内置埃赛力达C30954EH APD。
应用领域：
- 激光测距
- 目标识别
- 分布式温度感测（DTS）
- 共聚焦显微镜
- 分析仪器
- 高速，自由空间光通信
感光面积：0.5 mm²
感光直径：0.8 mm
带宽：200 MHz
NEP:
- 830 nm时为30-90 fW/√Hz
- 900 nm时为25-80 fW/√Hz
- 1064 nm时为50-150 fW/√Hz
- 830 nm时为325 kV/W
- 900 nm时为370 kV/W
- 1064 nm时为200 kV/W
感光面积：0.5 mm²
感光直径：0.8 mm
带宽：200 MHz
NEP:
- 830 nm时为30-90 fW/√Hz
- 900 nm时为25-80 fW/√Hz
- 1064 nm时为50-150 fW/√Hz
- 830 nm时为325 kV/W
- 900 nm时为370 kV/W
- 1064 nm时为200 kV/W