零件/ VTB5051UVJH
VTB5051UVJH - Si PD, TO-5, 14.8mm2，绝缘箱，UV窗口
VTB5051UVJH是采用将光电二极管芯片与外壳隔离开的气密TO-5 UV增强型扁平窗口封装的硅光电二极管。此光电二极管在UV光谱范围内具有增强的响应特性，同时具备极高的分流电阻和弱暗电流。
此UV增强型硅光电二极管的感光面积为14.8 mm2，其设计旨在实现200 nm至1100 nm之间的最佳光谱响应。
此系列P-on-N硅平面光电二极管的设计旨在实现在UV和可见光光谱范围内的最佳响应。这些光电二极管主要在光伏模式下使用，但也可以在较小的反向偏压下工作。它们同样采用极高分流电阻的设计，因此在高增益互阻抗运放电路中使用时偏置量较小。
功能与优点：
- UV至近IR光谱范围
- 在70至90年内保持1%-2%的线性度
- 极弱暗电流
- 极高分流电阻
- 符合RoHS标准
应用领域：
- UV和蓝光传感
- 光照度计
- 火焰监测
- 光度测定
感光面积 = 14.8 mm2
短路电流=在100fc，2850K时，最小值为85 µA，
暗电流 = 最大值250 pA（反向偏压为2 V时）
结电容 = 典型值3 nF（偏压为0 V时）
光谱范围 = 200 nm至1100 nm
峰值光谱响应=920 nm
峰值波长的灵敏度=通常为0,5 A/W
365 nm时的灵敏度 = 典型值0.1 A/W
220 nm时的灵敏度 = 最小值0.038 A/W
角响应 = ±50度（50%响应时）
感光面积 = 14.8 mm2
短路电流=在100fc，2850K时，最小值为85 µA，
暗电流 = 最大值250 pA（反向偏压为2 V时）
结电容 = 典型值3 nF（偏压为0 V时）
光谱范围 = 200 nm至1100 nm
峰值光谱响应=920 nm
峰值波长的灵敏度=通常为0,5 A/W
365 nm时的灵敏度 = 典型值0.1 A/W
220 nm时的灵敏度 = 最小值0.038 A/W
角响应 = ±50度（50%响应时）