1550nm脉冲半导体激光二极管

作为先进光子解决方案领域的行业领导者，埃赛力达提供包括我们的1550nm脉冲半导体激光二极管在内的下一代激光器。它们以多种功率等级和封装形式提供，适用于人眼安全测距和LiDAR应用。它们可以与我们的InGaAs APD结合使用，提供非常高效的组件搭配。这些脉冲激光二极管在军事和航空航天等高要求应用具有经过考验的可靠性。

我们的所有激光产品均用于满足苛刻的环境条件。例如我们的1550nm激光解决方案，配备采用先进的金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延生长技术制造的活性层，它们有两种方便的密封封装配置：“S”封装，采用TO-18式的低电感封装，以及“R”封装，采用CD 9mm轮廓，可提供更大的热耗散，并可选择安装后端面监测光电二极管。

埃赛力达拥有数十年设计和制造先进激光解决方案的经验，是一家可靠的军用级设备和装置供应商。

1550nm激光二极管是一种视网膜安全激光设备，它能够在短波红外（SWIR）或近红外（NIR）范围内整合和发射光线，并围绕中心波长为1550nm的光源排列。这些激光二极管通常用于工业和军事应用，但也有消费应用。

1550nm激光二极管在不同行业中也有广泛的应用。在电信领域，它们可用于传输数据信号并测试光纤电缆沿长度方向的潜在功率损耗。在自由空间光学领域，这些半导体激光二极管能够实现视距连接，因为其信号难以被拦截。在军事应用中，它们可用于测距系统，即使在较高功率下，对人眼仍然安全。

Excelitas Technologies是半导体激光技术领域无可争议的领导者。它不断提供行业领先的技术创新，这一点在PVG系列高功率脉冲激光二极管中得到了充分体现。

了解有关PVG系列的更多信息：

• PVGR1S06H - 1550nm 单腔6密耳PLD 9mm CD封装 - 金属封装的高性能半导体激光器，由单层单腔芯片组成，条带宽度150 µm。该激光器用于在20 A的电流下提供7 W的峰值性能，并已通过150 ns宽脉冲的测试。

• PVGS1S06H - 1550nm单腔6密耳 PLD TO-52 - 与PVR1S06H具有相同的规格。采用量子阱结构，可产生高达50 W的高峰值脉冲功率。

• PVGS2S06H - 1550nm单腔、双层6密耳PLD TO-52 - GS2S06H还提供金属封装。该封装包含一个双层、单腔芯片，具有150 µm条带宽度，在2A性能下可提供24 W功率，并具有150 ns宽脉冲。

• PVGR2S06H - 1550nm单腔、双层6密耳PLD 9mmCD封装 - 一种高效脉冲激光二极管，还可采用金属封装，包含一个类似于GS2S06H的双层、单腔芯片。其波长以1550nm为中心，以利用AIGaAs和InGaAs激光最大发射水平的增加。

• PVGR4S12H - 1550nm单腔、四层、12密耳 PLD {4}mm CD封装 - 整个系列中最强大的设备，包含一个四层、单腔芯片，条带宽度为300 µm。它能够在40 A的电流下发射58W的峰值光，并已通过150 ns宽脉冲的测试。

埃赛力达提供用于各种应用的先进半导体激光技术。这些应用包括：

• 人眼安全激光测距仪(LRF)
• 光学信号柱
• 隐蔽照明
• 传感
• 工业计量
• 激光安全光幕

几十年来，埃赛力达一直为全球客户开发脉冲激光二极管。我们的脉冲激光二极管按照客户的具体要求制造，以确保最佳性能，同时确保满足客户对埃赛力达的最高质量和可靠性期望。如果您的应用有特定要求，请立即联系我们探讨您的项目，让我们帮助优化您的创新。