零件/ PVGR4S12H
PVGR4S12H - 1550nm单腔, 四层12 密耳脉冲激光二极管9mm CD封装
PVGR4S12H是采用金属封装的高效1550nm脉冲激光二极管，由条带宽度为300µm的四堆叠单腔芯片构成。通过150ns脉宽测试，它在40A时提供58W的功率输出，并提供各种其他封装。
我们提供的标准产品是1550nm的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长的双异质结构激光二极管，峰值输出功率为7、14和58W。此类设备的波长集中在1550 nm，以充分利用超过AlGaAs和InGaAs激光器的最大允许发射水平，以实现FDA要求的人眼安全操作。因此，在相对较高的输出功率下应该可以进行1类操作。
• 1550 nm中心波长
• 可提供堆叠设备来提升输出功率
• 量子阱结构
• 高峰值脉冲功率——高达50 W
• 1550 nm中心波长
• 可提供堆叠设备来提升输出功率
• 量子阱结构
• 高峰值脉冲功率——高达50 W