905nm大容量脉冲半导体激光二极管

PGA和PGEW系列提供专门为测距和LiDAR大量应用而设计的各种封装。塑料密闭封装、SMD封装和特殊TO-56封装可用于各种配置。

DPGEW1S03H - 905nm双腔3密耳塑料PLD

DPGEW1S03H是采用塑料封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75 µm的单堆叠双腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为13W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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DPGEW1S09H - 905nm双腔9密耳塑料PLD

DPGEW1S09H是采用塑料封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225 µm的单堆叠双腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为45W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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LQPGAU1S03 - 905nm三腔3密耳金属盒PLD

LQPGAU1S03是采用金属封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。以100ns脉宽进行测试，它在通入10A的电流时提供24 W功率，并有多种封装形式。
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LTPGAU 1S03-905nm三腔3密耳金属盒PLD

LTPGAU 1 S 03是采用金属封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。以100 ns宽脉冲测得其在10 A电流条件下具有24 W功率，并具有多种其他包装。
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LTPGAU 1S09-905nm三腔9密耳金属盒PLD

LTPGAU 1 S 09是采用金属封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为225µm的单堆叠三腔芯片组成。以100 ns宽脉冲测得其在30 A电流条件下具有75 W功率，并具有多种其他包装。
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PGAD1S03H - 905 nm单腔3密耳SMD PLD

PGAD1S03H是采用SMD封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75µm的单堆叠、单腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为8W，脉冲宽度为50 ns，亦可提供多种其他封装。
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PGEW1S03H - 905nm单腔3密耳塑料PLD

PGEW1S03H是采用塑封的高效905nm脉冲激光二极管，由一个条宽为75µm的单堆叠单腔芯片构成。经测试，在10A电流下，其输出功率为6.5W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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PGEW1S09H - 905nm单腔9密耳塑料PLD

PGEW1S09H是采用塑料封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225µm的单堆叠、单腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为23W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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QPGEW1S03H - 905nm四腔3密耳塑料PLD

QPGEW1S03H是塑封的高效905nm脉冲激光二极管，由一个条宽为75µm的单堆叠四腔芯片构成。经测试，在10A电流下，其输出功率为25W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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QPGEW1S09H - 905nm四腔9密耳塑料PLD

QPGEW1S09H是塑封的高效905nm脉冲激光二极管，由一个条宽为225µm的单堆叠四腔芯片构成。经测试，在30A电流下，其输出功率为85W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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QPGEW1S1.5H - 905nm四腔1.5密耳塑料PLD

QPGEW1S01.5H是采用塑料封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为37.5 µm的单堆叠四腔芯片组成。经测试，在5A电流下，其输出功率为10W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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TPG2EW1S09 - 905nm第2代三腔225 µm塑料PLD

埃赛力达第2代脉冲半导体激光器采用多层单片芯片设计，在近IR中以905nm发射。其改进的GaAs结构在以30A电流驱动时可提供85W脉冲峰值功率。多层芯片设计的发射面积为（225 x 10）μm……
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TPG3AD1S09 - 905 nm第3代三腔225 μm SMD PLD

埃赛力达第3代TPG3AD1S09脉冲激光二极管是一款高效率的905nm边缘发射激光二极管，采用SMD封装。TPG3AD1S09具有3W/A功率斜率，在40A下工作时，输出功率可增至120W，扩大了检测范围，以支持未来的应用……
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TPG3AU1S03 - 905 nm三腔75 µm边缘发射TO-56封装激光器

埃赛力达TPG3AU1S03 905nm脉冲激光二极管集高功率和紧凑的外形设计于一体，在13A电流下可输出38W功率，是中长距离飞行时间（ToF）和激光雷达（LiDAR）应用的理想选择。75 × 10µm的大尺寸发射面积确保了在高输出功率下的高效热管理和稳定光束整形……
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TPG3AU1S04 - 905 nm三腔100 µm边缘发射TO-56封装激光器

埃赛力达TPG3AU1S04 905nm脉冲激光二极管在18A电流下提供54W的光输出功率，有效填补了中功率和大功率飞行时间（ToF）测距系统之间的空白。其发射面积为100 × 10µm，能够实现高效的热管理并……
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TPG3AU1S09 - 905 nm三腔225 µm边缘发射TO-56封装激光器

埃赛力达TPG3AU1S09是一款波长为905nm的脉冲激光二极管，专门设计用于实现最大探测距离和强效探测能力。该器件可在40A电流下产生高达120W的强大输出功率。225 × 10µm的大尺寸发射面积能提供高光输出密度，特别适用于……
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TPG3AU1S1.5 - 905 nm三腔40 µm边缘发射TO-56封装激光器

埃赛力达TPG3AU1S1.5是一款结构紧凑、功能强大的905nm脉冲激光二极管，仅需6A电流即可提供16W的光输出功率，是飞行时间、LiDAR和3D传感测距应用的理想选择。较小的40 ×10µm发射区域实现了紧密的光束准直，可进行高分辨率……
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TPGAD1S03H - 905nm三腔3密耳SMD PLD

TPGAD1S03H是采用SMD封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为20W，脉冲宽度为50 ns，亦可提供多种其他封装。
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TPGAD1S09H - 905 nm三腔9密耳SMD PLD

TPGAD1S09H是采用SMD封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225µm的单堆叠三腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为70W，脉冲宽度为50 ns，亦可提供多种其他封装。
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TPGEW1S03H - 905nm三腔3密耳塑料PLD

TPGEW1S03H是采用塑料封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为20W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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TPGEW1S09H - 905nm三腔9密耳塑料PLD

TPGEW1S09H是采用塑料封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条宽为225 µm的单堆叠三腔芯片组成。它在使用100 ns脉宽测试时在30 A可提供70 W输出，并具有多种其他封装形式。
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为何选择埃赛力达作为大容量激光二极管供应商？

埃赛力达是光电领域的行业领导者，在为全球OEM和最终用户客户提供先进的光电解决方案方面享有盛誉。我们的光子产品目录内容丰富，包括高灵敏度、高性能的光子探测器和脉冲激光二极管，为推动技术进步和改变世界做出了贡献。我们还进一步优化了制造能力，为您提供适合大批量应用的解决方案。埃赛力达提供的产品可帮助我们的客户开发处于技术前沿的尖端设备。

大容量激光二极管有哪些不同用途？

905nm脉冲半导体激光二极管是一种以间歇爆发方式发光的专用二极管，工作波长精确为905nm。这些元件可产生高强度的光脉冲，持续时间从纳秒到微秒不等，具体取决于其设计和预期应用。

埃赛力达推出专为大批量应用而设计的PGA和PGEW系列905nm激光二极管。它们的独特属性使其特别适用于要求激光能量集中爆发或快速连续切换的应用场合，例如光探测和测距（LiDAR）、测距和野外绘图等应用。

你们提供哪些类型的905nm激光二极管？

埃赛力达提供各种905nm大容量脉冲半导体激光二极管，专为需要大量输出的应用而设计。

了解有关PGA和PGEW系列的更多信息：

  • TPG2EW1S09 - 905nm 2代三腔225 µm塑料PLD - “2代”脉冲半导体激光发射二极管采用多层单片式芯片设计，具有改进的砷化镓结构。它采用密封金属封装或SMD封装，设计更加坚固耐用。

  • TPG3AD1S09 - 905 nm三腔225 μm SMD PLD - 采用SMD封装的高效905nm边缘发射激光二极管。它通过3 W/A增强功率斜率产生高输出功率，在40 A下可产生120 W的增强功率输出，最适用于需要远距离测距的系统。

  • TPGAD1S03H - 905nm三腔3密耳SMD PLD - 包括一个单堆栈、三腔芯片，具有75 µm的条纹宽度。采用SMD封装，在10A电流下的输出功率为20W，使用50 ns宽脉冲进行测试。

  • TPGAD1S09H - 905 nm三腔9密耳SMD PLD - 高效、高容量激光二极管，采用SMD封装，包括单堆栈、三腔芯片，225 µm磁条宽度。

  • PGAD1S03H - 905nm单腔3密耳SMD PLD - 高905nm脉冲激光二极管，由具有75 µm条纹宽度的单堆栈、单腔芯片组成。

  • LTPGAU1S03 - 905纳米三腔3密耳金属盒PLD - 金属封装二极管，包括一个具有75微米条纹宽度的单层三腔芯片。

  • LQPGAU1S03 - 905nm三腔3密耳金属盒PLD - 金属封装的高效905nm脉冲激光二极管，在10A电流下的输出功率为24W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • LTPGAU1S09 - 905nm三腔9密耳金属盒PLD - 包括一个具有225 µm条纹宽度的单堆栈三腔芯片，在30A电流下的输出功率为75W。

  • PGEW1S03H - 905nm单腔3密耳塑料PLD - 塑料封装的脉冲激光二极管，包括一个具有75 µm条纹宽度的单层单腔芯片。

  • DPGEW1S03H - 905nm双腔3密尔塑料PLD - 塑料封装的脉冲激光二极管，包括一个具有75 µm条纹宽度的单堆栈双腔芯片，在10A电流下的输出功率为13W。

  • TPGEW1S03H - 905nm三腔3密尔塑料PLD - 塑料封装脉冲激光二极管，在10A电流下的输出功率为20W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • PGEW1S09H - 905nm单腔9密尔塑料PLD - 采用塑料封装，包括一个具有225 µm磁条宽度的单层单腔芯片。

  • DPGEW1S09H - 905nm双腔9密耳塑料PLD - 采用塑料封装，包含一个具有225 µm条纹宽度的单堆栈双腔芯片，在30A电流下的输出功率为45W。

  • TPGEW1S09H - 905nm三腔9密尔塑料PLD - 一种塑料封装的高效脉冲激光二极管，由一个具有225 µm条纹宽度的单层三腔芯片组成。

  • QPGEW1S1.5H - 905nm四腔1.5密尔塑料PLD - 包含一个具有37.5 µm条纹宽度的单层四腔芯片，采用塑料封装，但也提供其他各种封装。

  • QPGEW1S03H - 905nm四腔3密耳塑料PLD - 塑料封装的高效脉冲激光二极管，在10A电流下的输出功率为25W，使用100 ns宽脉冲进行测试。

  • QPGEW1S09H - 905nm四腔9密尔塑料PLD - 采用塑料封装，包括一个具有225 µm条纹宽度的单层四腔芯片，提供其他各种封装。

905nm激光二极管有哪些应用？

埃赛力达通过905nm高容量脉冲半导体激光发射二极管，提供全面的先进光子解决方案组合。这些激光二极管在功率传输、脉冲持续时间和重复率方面具有可靠而稳定的性能，这些特性非常适合以下应用：

  • 光探测和测距 (LIDAR)
  • 机器人
  • 工业自动化与传感
  • 建筑工地测量
  • 农田测绘
  • ​​​​​​​采矿和采石
  • ​​​​​​​仓库库存管理
  • ​​​​​​​零售和电子商务
  • ​​​​​​​安全和监控
  • ​​​​​​​国防
  • ​​​​​​​激光安全光幕
  • ​​​​​​​激光治疗
  • ​​​​​​​工业计量
  • ​​​​​​​环境监测
  • ​​​​​​​红外线夜间照明
你们是否提供定制大容量激光二极管？

在为全球客户提供激光二极管交钥匙解决方案的过程中，埃赛力达一直保持着一贯性和可靠性。数十年来，我们在保持产品质量和可靠性的同时不断改进产品背后的技术。如果您正在为您的应用寻找先进的解决方案，请在我们的综合产品目录中查找符合您的项目规格的组件。如果您无法找到满足您特定需求的产品，我们非常乐意与您合作，根据您的规格和性能要求为您量身定制解决方案。