TPG2EW1S09 - 905nm第2代三腔225 µm塑料PLD
零件/ TPG2EW1S09

TPG2EW1S09 - 905nm第2代三腔225 µm塑料PLD

埃赛力达第2代脉冲半导体激光器采用多层单片芯片设计,在近IR中以905 nm发射。其改进的GaAs结构在以30 A电流驱动时可提供85 W脉冲峰值功率。多层芯片设计的发射面积为 (225 x 10) μm(通过发射三条激光线),可在小发射面积中提供高输出功率。T1¾(类似于TO)塑料密闭封装是对埃赛力达的密封金属或SMD封装PGA系列外腔激光器的补充,非常适合大批量应用。

这种905 nm脉冲激光二极管采用TO式塑料封装设计,适用于大型、商业LiDAR和测距仪应用。

埃赛力达提供一系列905 nm激光器,其中包括多腔单片结构,在第一代设备上每个芯片最多具有四(4)个有源腔。我们的第二代激光器在相同驱动电流下光功率增加20%以上。工作中心波长与我们的大容量雪崩光电二极管C30737系列的峰值响应非常匹配。

  • 905nm脉冲激光器
  • PG2EW系列:商用塑料封装
  • 225 µm条纹宽度,查询其他几何形状
  • 3 W/A功率斜率
  • 具有量子阱结构的多腔激光器
  • 功率下降 < 20% @ 最高温度 (Tmax)
  • >比第1代设备的峰值脉冲功率提高20%
  • 出色的温度稳定性
  • 905nm脉冲激光器
  • PG2EW系列:商用塑料封装
  • 225 µm条纹宽度,查询其他几何形状
  • 3 W/A功率斜率
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  • 功率下降 < 20% @ 最高温度 (Tmax)
  • >比第1代设备的峰值脉冲功率提高20%
  • 出色的温度稳定性
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