零件/ C30954EH
C30954EH - Si APD, 0.8mm, TO-5封装
C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直径和在1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强，不会产生任何不良影响。
功能与优点：
- 0.8mm感光直径
- 1060 nm波长处具有高量子效率
- 快速响应时间
- 较宽的工作温度范围
- 低结电容
- 气密封装
- 符合RoHS标准
- 提供TEC选项
应用领域：
- 测距
- LiDAR
- YAG激光探测
感光面积：0.5 mm²
感光直径：0.8 mm
击穿电压: >300, 375, <475 V
电容：2pF
暗电流：50nA
增益：120
噪声电流：1 pA/√Hz
封装：TO-5
峰值灵敏度波长：900 nm
响应度：
- 在900 nm处为75 A/W
- 在1050 nm处为36 A/W
- 在1150 nm为5 A/W
感光面积：0.5 mm²
感光直径：0.8 mm
击穿电压: >300, 375, <475 V
电容：2pF
暗电流：50nA
增益：120
噪声电流：1 pA/√Hz
封装：TO-5
峰值灵敏度波长：900 nm
响应度：
- 在900 nm处为75 A/W
- 在1050 nm处为36 A/W
- 在1150 nm为5 A/W