1064nm长波长增强型硅APD
使用双扩散“穿通”结构制作了1064nm长波长增强型硅APD (C30954EH、C30955EH和C30956EH)。这些光电二极管的设计增强了它们在长波的响应（即>900 nm），并且没有产生任何不良影响。这些APD在1060 nm处的量子效率高达40 %。
C30954EH - Si APD, 0.8mm, TO-5封装
C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直径和在1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应……
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C30955EH - Si APD, 1.5mm, TO-5封装
C30955EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(APD)提供1.5 mm感光面直径和1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应……
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C30956EH—硅APD, 3mm, TO-8封装
C30956EH大面积、长波长、增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供3 mm感光面直径，在1060 nm具有高量子效率。这种Si APD采用TO-8封装设计，使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波长响应……
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