零件/ C30956EH
C30956EH—硅APD, 3mm, TO-8封装
C30956EH大面积、长波长、增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供3 mm感光面直径，在1060 nm具有高量子效率。这种Si APD采用TO-8封装设计，使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波长响应经过了增强，不会产生任何不良影响。
功能与优点：
- 感光直径：3 mm
- 1060 nm波长处具有高量子效率
- 快速响应时间
- 较宽的工作温度范围
- 低结电容
- 密封封装
- 符合RoHS标准
- 提供TEC选项
应用领域：
- 测距
- LiDAR
- YAG激光探测
感光面积：7 mm²
感光直径：3 mm
击穿电压: >325, 400, <500 V
结电容：2.4 pF
暗电流：100 nA
增益：75
噪声电流：1.1pA/√Hz
封装：TO-8
峰值灵敏度波长：900 nm
响应度：
- 在900 nm为45 A/W
- 1050nm处为25A/W
- 1150 nm处为3.5A/W
感光面积：7 mm²
感光直径：3 mm
击穿电压: >325, 400, <500 V
结电容：2.4 pF
暗电流：100 nA
增益：75
噪声电流：1.1pA/√Hz
封装：TO-8
峰值灵敏度波长：900 nm
响应度：
- 在900 nm为45 A/W
- 1050nm处为25A/W
- 1150 nm处为3.5A/W